|
عنوان
|
طراحی یک سلول جدید بسیار توان پایین SRAM با بهبود حاشیه نویز خواندن
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله چاپ شده
|
|
کلیدواژهها
|
حافظه های استاتیک، SRAM ،توان استاتیک پایین، حاشیه نویز استاتیک خواندن، کانال کوتاه.
|
|
چکیده
|
.
|
|
پژوهشگران
|
محمد غلامی (نفر دوم)، شکوفه نقی زاده (نفر اول)
|