مشخصات پژوهش

عنوان	تحلیل و بررسی سه طرح کاهش توان مصرفی سلول های SRAM
نوع پژوهش	مقاله ارائه شده
کلیدواژه‌ها	حافظه های استاتیکی، SRAM، کاهش توان مصرفی، جریان نشتی، جریان زیر آستانه
چکیده	با رشد و پیشرفت روز افزون مدارات دیجیتال، درخواست های بالای تولیدات قابل حمل و کاهش توان مصرفی بسیار مورد توجه قرار گرفته است به طوری که در اکثر تحقیقات اخیر، توان یکی از بحرانی ترین محدودیت هاست. حافظه های استاتیکی مهترین قسمت های مدارات دیجیتال هستند. در کنار این مسئله، اتلاف انرژی حافظه نسبت به سایر قسمت ها در چیپ، در حال رشد است و با توجه به دسترسی های متناوب به حافظه، بخش عمده ای از توان مصرفی (در حدود 45درصد) را در سیستم ها اتلاف می نمایند. از این رو در طراحی SRAM باید این موضوع را مد نظر داشت و از تکنیک های کاهش توان مصرفی استفاده نمود. با توجه به اهمیت کاهش توان مصرفی حافظه های SRAM، این مقاله به بررسی و مقایسه سه طرح جدید از SRAM با قابلیت کاهش توان مصرفی نسبت به سلول متدوال شش ترانزیستوری، می پردازد.
پژوهشگران	محمد غلامی (نفر دوم)، شکوفه نقی زاده (نفر اول)