برهمکنش غیرخطی نانوسیم های پلاسمونیکی از موضوعات مهم در مدارات مجتمع اپتیکی است. در این مقاله به بررسی اثرات جفتشدگی غیرخطی برای دو مد TM00 و TM10 در دامنههای مختلف بر روی دو نانوسیم پلاسمونیکی از جنس نقره در حضور اثر کر و حالتی دیگر که محیط علاوه بر اثر کر دارای اثر جذب دوفوتونی نیز است، می پردازیم. نتایج نشان می دهد که اثرات غیرخطی با حضور اثر جذب دوفوتونی در دامنههای ورودی خیلی پایینتری نسبت به اثر کر ظاهر می شود. اثر کر در شدت های بسیار بالاتری نسبت به اثر جذب دوفوتونی رخ می دهد و اثرات اپتیکی غیرخطی موجب کاهش جابجایی موج پلاسمونیکی بین دو موجبر نانوسیم میشود. مقادیر طول جفت شدگی (Lc) که این طول مشخصه، کمترین مسافتی است که طی آن در محیط جابجایی موج بین دو نانوسیم صد در صد است، در مد TM00 کمتر از مد TM10 است. هم چنین نتایح نشان می دهد که افزایش شدت در یک طول جفت شدگی به ازای دامنه میدان های اولیه مختلف منجر به افزایش راندمان جفت شدگی میشود.
