مشخصات پژوهش

عنوان	سنتز و بررسی ویژگی های نانو کامپوزیت PVA/3BaTiO به عنوان گیت دی الکتریک OFET
نوع پژوهش	مقاله ارائه شده
کلیدواژه‌ها	نانوکامپوزیت باریم تیتانات گیت دی الکتریک روش سل ژل نانوترانزیستور
چکیده	گیت دی الکتریک نانوترانزیستورهای اثر میدانی فعلی اکسید سیلیکون است که یک ماده غیرآلی است و دارای مزایایی است اما وقتی در ترانزیستورهای اثر میدانی ضخامت آن به حدود 2 نانومتر کاهش یافت، با مشکلاتی رو به رو شد. از طرف دیگر مواد آلی ثابت دی الکتریک پایینی دارند و تحرک پذیری حامل ها در آن ها کم است. با این اوصاف کامپوزیت آلی غیرآلی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی را مورد مطالعه قرار دادیم. زیرا مواد – کامپوزیتی خواص فیزیکی هر دو جزء آلی و غیر آلی را دارا می باشند و می توانند معایب یکدیگر را برطرف سازند.ماده ی غیرآلی مورد استفاده ما باریم تیتانات) 3BaTiO ( بود که یک سرامیک مناسب است که به دلیل داشتن ثابت دی الکتریک بالا و اتلاف کم کاربرد فراوانی دارد که با استفاده از روش سل ژل آن را سنتز کرده وبا پلی وینیل الکل) - PVA (که یک پلیمر تجاری در دسترس، ارزان و غیرسمی است و قابلیت محلول شدن در آب را دارد ترکیب کردیم که این امر موجب کاهش جریان نشتی نیز شد همچنین آنالیز هایی نظیر XRD و تصاویر AFM و UV از نمونه ها نیز بیانگر نتایج بسیار خوبی بود در نتیجه با استفاده از نانو کامپوزیت باریم تیتانات) 3BaTiO ( و ترکیب آن با پلیمر پلی وینیل الکل) PVA ) در محلول آبی، کامپوزیتی ساختیم که دارای ویژگی های مطلوب برای استفاده به عنوان یک گیت دی الکتریک OFET است.
پژوهشگران	کمیل حسینی (نفر اول)، علی بهاری (نفر سوم)، وحید فلاح (نفر دوم)