|
عنوان
|
تأثیردمای کلسینه بر گاف اپتیکی نانوذرات دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با آهن، سنتز شده به روش سل – ژل
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله ارائه شده
|
|
کلیدواژه‌ها
|
گاف اپتیکی ؛ نانوذرات دی اکسید تیتانیم ؛ آلاییدگی با آهن
|
|
چکیده
|
در پژوهش حاضر، نانوذرات به روش سل – ژل ، در دو دمای کلسینه ی متفاوت 700 و 900 با غلظت 0.1 مولار آهن سنتز شده است. به وسیله روش های طیف سنجی پراش اشعه ی ایکس ؛ میکروسکوپ الکترونی روبشی ، طیف سنجی فرو سرخ و طیف سنجی فرابنفش – مریی آنالیز و مشخصه یابی شده است. تاثیر دمای کلسینه بر گاف اپتیکی دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با آهن مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد افزودن آهن در دمای 700 باعث افزایش اندازه نانو ذرات می شود و گاف اپتیکی را افزایش می دهد، ولی در دمای 900 با افزودن آهن اندازه ذرات کوچک شده و گاف اپتیکی کاهش می یابد.
|
|
پژوهشگران
|
عاطفه آذرگشب (نفر اول)، حسین میلانی مقدم (نفر دوم)
|