|
عنوان
|
تأثیر تغییر ضخامت نانولایه ی Ge2Sb2Te5 بر رفتار جذب در چندلایه های فوتونی نامتقارن یک بعدی
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله ارائه شده
|
|
کلیدواژه‌ها
|
نانو لایه ی GST، افزایش جذب، فاز آمورف، فاز بلوری
|
|
چکیده
|
در این مقاله، با تغییر ضخامت نانو لایه ی (GST) Ge2Sb2Te5 در یک ساختار نامتقارن، خواص جذب بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که با انتخاب مناسب ضخامت آن، امکان افزایش جذب در هر یک از فازهای آمورف و یا بلورین GST فراهم است.
|
|
پژوهشگران
|
آرزو رشیدی (نفر سوم)، صمد روشن انتظار (نفر دوم)، شیوا رشیدی (نفر اول)
|