در سالهای اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سـیلیکون فرانـازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه(100(Si رشد یافتهاند. نتـایج به دست آمده نشان میدهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسبتری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای میسفت به کار رود.
