حافظه های استاتیکی مهترین قسمت های مدارات دیجیتال هستند و با پیشرفت روز افزون مدارات دیجیتال، یکی از بحثهای تحقیقاتی روز ارائه ی طرح های بهینه از حافظه های استاتیکی است. از حافظه های استاتیکی به منظور ایجاد حافظه های نهان استفاده می شود و با توجه به نیاز حافظه های نهان به زمان دسترسی فوق العاده پایین، بنابراین طراحی SRAM هایی با سرعت زیاد بسیار اهمیت پیدا می کند. همچنین به علت درخواست های بالای دستگاه های قابل حمل، مصرف توان یکی دیگر از محرک های پشت ارائه طرح های بهینه از سلول های متداول SRAM است. همچنین به طرح هایی نیاز داریم که قابلیت اطمینان را در عملیات نوشتن، خواندن و نگهداری داده ها را افزایش دهد. در طراحی SRAM جنبه های زیادی وجود دارد، این موارد بخشی از نیازهای هستند که باید در طراحی های جدید در نظر گرفته شوند. این مقاله با تکیه بر این نیازها به تحلیل و بررسی چند روش جدید بهینه سازی سلول های 6T-SRAM متداول می پردازد.
