در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، مواد انتقال دهنده حفره نقش مهمی در پایداری و کارایی سلول ها دارند. با این حال، هزینه بالا و فرآیند سنتز پیچیده ممکن است کاربرد اقتصادی آن را محدود کند. در این کار، یک انتقال دهنده حفره ارزان قیمت و موثر برپایه متیلن دی آنیلین با سیستم π مزدوج برای بهبود عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی گزارش شده است. نتایج نشان داد که مشارکت سیستم π مزدوج در این انتقال دهنده حفره باعث افزایش پایداری سلول خورشیدی پروسکایتی می شود. سلول های خورشیدی ساخته شده با این انتقال دهنده حفره، بازده %79/14 را نشان دادند. بنابراین این انتقال‌دهنده حفره جدید می تواند گزینه مناسبی برای استفاده در سلول های خورشیدی پروسکایتی باشد.
