11 بهمن 1401
امين قادي

امین قادی

مرتبه علمی: استادیار
نشانی: http://rms.umz.ac.ir/~aghadi/
تحصیلات: دکترای تخصصی / فیزیک
تلفن: 01135302480
دانشکده: دانشکده علوم پایه

مشخصات پژوهش

عنوان جفت‎شدگي غيرخطي دو نانوسيم پلاسمونيكي جفت شده با حضور اثر كر و جذب دوفوتوني در مد هاي TM00 و TM10
نوع پژوهش مقاله چاپ شده
کلیدواژه‌ها
اثر جذب دو فوتونی، اثر کر، نانوسیم، جفت شدگی غیرخطی
مجله پژوهش فیزیک ایران
شناسه DOI 10.47176/IJPR.20.4.71084
پژوهشگران فروزان حبیبی (نفر اول) ، امین قادی (نفر دوم) ، سعید میرزانژاد (نفر سوم)

چکیده

برهمکنش غیرخطی نانوسیم های پلاسمونیکی از موضوعات مهم در مدارات مجتمع اپتیکی است. در این مقاله به بررسی اثرات جفت‎شدگی غیرخطی برای دو مد TM00 و TM10 در دامنه‎های مختلف بر روی دو نانوسیم پلاسمونیکی از جنس نقره در حضور اثر کر و حالتی دیگر که محیط علاوه بر اثر کر دارای اثر جذب دوفوتونی نیز است، می پردازیم. نتایج نشان می دهد که اثرات غیرخطی با حضور اثر جذب دوفوتونی در دامنه‎های ورودی خیلی پایینتری نسبت به اثر کر ظاهر می‎ ‎شود. اثر کر در شدت های بسیار بالاتری نسبت به اثر جذب دوفوتونی رخ می دهد و اثرات اپتیکی غیرخطی موجب کاهش جابجایی موج پلاسمونیکی بین دو موجبر نانوسیم می‎شود. مقادیر طول جفت شدگی (Lc) که این طول مشخصه، کمترین مسافتی است که طی آن در محیط جابجایی موج بین دو نانوسیم صد در صد است، در مد TM00 کمتر از مد TM10 است. هم چنین نتایح نشان می دهد که افزایش شدت در یک طول جفت شدگی به ازای دامنه میدان های اولیه مختلف منجر به افزایش راندمان جفت شدگی می‎شود.