دو رویکرد اصلی تولید انرژی هسته ای بوسیله گداخت محصور سازی اینرسی و همجوشی محصور سازی مغناطیسی هستند. در این پایان نامه به حل معادلات دینامیکی دو دمایی حاکم بر اشتعال قرص سوخت D/3He و توان اتلافی و تولیدی پرداخته شده است. همچنین اثر میدان مغناطیسی بر توان تولیدی و اتلافی گداخت بررسی شده است. محاسبات نشان می‌دهند در توان های تولیدی و اتلافی گداخت سوختD/3He با افزایش دمای یون توان گداخت نیز افزایش می‌یابد. معیار اشتعال قرص سوخت با استفاده از پارامترهای نظیر دمای یون و الکترون (Ti وTe) چگالی سطحی( ρR ) و شدت میدان مغناطیسی مانند B/ρ بدست آمده است . در تحول دمایی با افزایش B/ρ چگالی سطحی کاهش می‌یابد بطوریکه دمایی یون Ti<300 و دمای الکترون Te<50 چگالی سطحی مطلوب برای سوختن پایدار ρR<3 برآورد شده است.
