در کار حاضر ویژگی نانوساختاری یک اکسید فلزی ( (TiO2 هم به عنوان یک ماده خوب دی الکتریک برای تولیدات آتی نانوترانزیستورهای اثر میدانی و هم به عنوان یک ماده ی فتوکاتالیستی کاربرد دارد، مورد مطالعه قرار دادیم. برای این منظور از تکنیک های XRD، XRF، SEM، EDX، TEM، طیف نمایی فرابنفش در محدوده مرئی و FTIR استفاده شده است. ویژگی های نانوساختاری، اندازه بلورک ها، کرنش شبکه، انرژی فعال سازی تشکیل فاز بلوری، پیوند های شیمیایی و ریخت شناسی سطح ذرات را مورد بررسی قرار دادیم. همچنین تاثیر متغیرهایی چون غلظت مولی پیش ماده ها، حضور ناخالصی و دمای کلسینه شدگی در روش مرطوب سل- ژل را تجزیه و تحلیل کردیم.در خواص ساختاری این اکسید، فازهای بلوری تشکیل شده نقش بسیار مهمی را بازی می کنند به گونه ای که حضور ناخالصی هایی چون SiO2، CuO و نظایر آن تاثیر به سزایی در اندازه و رشد بلورک ها، متوقف کردن رشد یک فاز بلوری و به طور کلی ویژگی های فیزیکی- شیمیایی TiO2 دارند. دریافتیم که این اکسید یک ماده با ضریب دی الکتریک بالا و همچنین یک فتوکاتالیست بسیار خوب است. با توجه به تشکیل زیر لایه میانی بی شکل بین اکسید تیتانیم و زیرلایه سیلیکونی، که می تواند سبب کاهش جریان نشتی و تونل زنی و مانع نفوذ بور از لایه گیت دی الکتریک فرا نازک شود، به این نتیجه رسیدیم که TiO2 را می توان به صورت یک ماده مناسب گیت دی الکتریک در ترانزیستورهای اثر میدانی و نیز یک مخرب آلاینده های ترکیبات آلی چون متیلن بلو معرفی نماییم.
