1403/03/05
آرزو رشیدی

آرزو رشیدی

مرتبه علمی: استادیار
ارکید: 0000-0001-5944-3226
تحصیلات: دکترای تخصصی
اسکاپوس: 57193621558
دانشکده: دانشکده علوم پایه
نشانی:
تلفن: 011-35305191

مشخصات پژوهش

عنوان
تأثیر تغییر ضخامت نانولایه ی Ge2Sb2Te5 بر رفتار جذب در چندلایه های فوتونی نامتقارن یک بعدی
نوع پژوهش
مقاله ارائه شده
کلیدواژه‌ها
نانو لایه ی GST، افزایش جذب، فاز آمورف، فاز بلوری
سال 1400
پژوهشگران شیوا رشیدی ، صمد روشن انتظار ، آرزو رشیدی

چکیده

در این مقاله، با تغییر ضخامت نانو لایه ی (GST) Ge2Sb2Te5 در یک ساختار نامتقارن، خواص جذب بررسی شده است. نتایج نشان می دهند که با انتخاب مناسب ضخامت آن، امکان افزایش جذب در هر یک از فازهای آمورف و یا بلورین GST فراهم است.