در چند سال اخیر، دانشمندان مواد پروسکایت زیادی را به دلیل کاربردهای زیادی که در صنایع مختلف نظیر یکسوسازهای آلی و پلیمری، سلول های خورشیدی و نیز صنایع اپتوالکترونیکی و حسگری از خود نشان داده اند را مورد بررسی قرار داده اند. در این پزوهش به بررسی اثر نمک های سزیم یدید و سدیم یدید بر پروسکایت MAPbI3 پرداخته شده است. برای ساخت لایه های پروسکایتی از روش لایه نشانی چرخشی دو مرحله ای استفاده شده هست. ما ابتدا محلول ماده ی PbI2 را بر روی زیر لایه، لایه نشانی کردیمو پس از خشک شدن زیر لایه، ترکیب محلول متیل آمونیوم با درصدهای مختلف نمک را بر روی آن لایه نشانی کردیم. نمونه ها تئسط پراش پرتو ایکس، طیف سنجی UV-Vis، تبدیل فوریه زیر قرمز، میکروسکوپ الکترونی روبشی و طیف سنجی پراکندگی انرژی پرتو ایکس مشخصه یابی شدند. الگوی XRD تغییر فاز ساختاری را با اضافه شدن نمک نشان داد و اندازه بلورک ها هم تعیین شد. خواص اپتیکی با طیف سنجی UV-Vis بررسی شد و مشخص شدکه با اضافه کردن درصد هایی از نمک ها طیف جذبی پروسکایت تغییر می کند و شاهد در گاف نواری نمونه ها بودیم. گاف نواری نمونه ها بین 3/975 تا 4/110 الترون ولت متغیر بود. تصاویر FESEM تغییر اندازه بلورک ها و ریخت نمونه ها را با اضافه شدن نمک به خوبی نشان داد و عناصر موجود در نمونه ها توسط طیف سنجی EDS تایید شد.
