گیت دی الکتریک نانوترانزیستورهای اثر میدانی فعلی اکسید سیلیکون است که یک ماده غیرآلی است و دارای مزایایی است اما وقتی در ترانزیستورهای اثر میدانی ضخامت آن به حدود 2 نانومتر کاهش یافت، با مشکلاتی رو به رو شد. از طرف دیگر مواد آلی ثابت دی الکتریک پایینی دارند و تحرک پذیری حامل ها در آن ها کم است. با این اوصاف کامپوزیت آلی غیرآلی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی را مورد مطالعه قرار دادیم. زیرا مواد – کامپوزیتی خواص فیزیکی هر دو جزء آلی و غیر آلی را دارا می باشند و می توانند معایب یکدیگر را برطرف سازند.ماده ی غیرآلی مورد استفاده ما باریم تیتانات) 3BaTiO ( بود که یک سرامیک مناسب است که به دلیل داشتن ثابت دی الکتریک بالا و اتلاف کم کاربرد فراوانی دارد که با استفاده از روش سل ژل آن را سنتز کرده وبا پلی وینیل الکل) - PVA (که یک پلیمر تجاری در دسترس، ارزان و غیرسمی است و قابلیت محلول شدن در آب را دارد ترکیب کردیم که این امر موجب کاهش جریان نشتی نیز شد همچنین آنالیز هایی نظیر XRD و تصاویر AFM و UV از نمونه ها نیز بیانگر نتایج بسیار خوبی بود در نتیجه با استفاده از نانو کامپوزیت باریم تیتانات) 3BaTiO ( و ترکیب آن با پلیمر پلی وینیل الکل) PVA ) در محلول آبی، کامپوزیتی ساختیم که دارای ویژگی های مطلوب برای استفاده به عنوان یک گیت دی الکتریک OFET است.
