گیت دی الکتریک نانوترانزیستورهای اثر میدانی فعلی اکسید سیلیکون است که یک ماده غیرآلی است و دارای مزایایی است اما وقتی در ترانزیستورهای اثر میدانی ضخامت آن به حدود 2 نانومتر کاهش یافت، با مشکلاتی رو به رو شد. از طرف دیگر مواد آلی ثابت دی الکتریک پایینی دارند و تحرک پذیری حامل ها در آن ها کم است. با این اوصاف کامپوزیت آلی غیرآلی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی را مورد – مطالعه قرار دادیم. زیرا مواد کامپوزیتی خواص فیزیکی هر دو جزء آلی و غیر آلی را دارا می باشند و می توانند معایب یکدیگر را برطرف سازند.ماده ی غیرآلی مورد استفاده ما باریم تیتانات) 3BaTiO ( بود که یک سرامیک مناسب است که به دلیل داشتن ثابت دی الکتریک بالا و اتلاف کم کاربرد فراوانی دارد که با استفاده از روش سل ژل آن را سنتز کرده وبا پلی وینیل الکل) - PVA ( که یک پلیمر تجاری در دسترس، ارزان و غیرسمی است و قابلیت محلول شدن در آب را دارد ترکیب کردیم که این امر موجب کاهش جریان نشتی نیز می شود سپس با استفاده از لایه نشانی چرخشی این ماده را بر روی سلیلکون نوع n لایه نشانی کرده و با لایه نشانی نقره و نیمه رسانای آلی 3Alq به بررسی خواص گیت دی الکتریک در ترانزیستور اثر میدانی آلی پرداختیم. همچنین آنالیز هایی نظیر XRD و تصاویر AFM و UV از نمونه ها نیز بیانگر نتایج بسیار خوبی بود در نتیجه با استفاده از نانو کامپوزیت باریم تیتانات) 3BaTiO ( و ترکیب آن با پلیمر پلی وینیل الکل) PVA ( در محلول آبی، نانوکامپوزیتی ساختیم که دارای ویژگی های مطلوب برای استفاده به عنوان یک گیت دی الکتریک OFET است.
