مسیر روبه جلو در کاربرد نانولوله های تک دیواره کربنی به عنوان یک کانال ماسفت (ترانزیستور اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه رسانا) برای تراشه ها و نانو ترانزیستورهای آتی به قویتر و مستحکمتر بودن ساختار آن ها نسبت به ساختار کانال فعلی این ترانزیستورها پیوند خورده است. بر این اساس آزمایشهایی در رشد گیت اکسید سیلیکون فرا نازک بر انجام گردید و آنگاه به مطالعه ساختار نانولوله تک Si( زیرلایه ( 111دیواره کربنی پرداخته تا روشن شود که آیا این ماده می تواند یک کانال خوب برای تولیدات آتی ترانزیستور ماسفت باشد؟ طیف ها پیش تر با تابش سینکروتونی گرفته شده است. در کار حاضر با مدل هم ارزی- انرژی، مدول یانگ نانولوله تک دیواره آرمچیر و زیگزاگ محاسبه شده و بستگی آن با طول و قطر لوله مشخص شده است که نوع آرمچیر نانولوله کربنی استحکام بیشتری از خود نشان می دهد که برای هدف این مقاله مناسب تر است.
